ROM，理解為磁盤。（只讀存儲器）
RAM，理解為內存。（隨機訪問存儲器）
詳細的介紹可以參考《內存之RAM、SRAM、DRAM、ROM、FLASH、SDRAM、DDR*》[https://www.cnblogs.com/guanghe/p/12517637.html]

以下為轉載內容：

內存內存（Memory）指的是內存存儲器，又稱為主存，是CPU用來直接尋址和存儲的空間，它相當于一座橋梁，用以負責諸如硬盤、主板、顯卡等硬件上的數據與處理器之間數據交換處理，我們可以把內存看作數據緩存區，一個高速的緩存區。內存之所以稱為內存，是相對于硬盤這些外存而言，我們要用的軟件數據都安裝存放在外存上，但是當我們運行他們時，就需要把這些軟件的數據調入內存，才能運行順暢，因為CPU和內存間的數據交換速度遠高于和外存交換速度。 內存條是由內存芯片、電路板、金手指等部分組成的。 > > 內存分ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存儲器)兩部分，RAM可以理解為主存，ROM只是很小一部分，比如記錄BIOS信息的ROM。而硬盤、U盤等存儲設備屬于外存，和ROM沒有關系。手機內存256G？所謂的“256G內存”是一個外存儲器。不能將“內部的外存儲器”簡稱為”內存，因為內存是一個特定的概念，為內存儲器的簡稱。從手機角度來看，ROM不僅存儲手機相關信息，還會存儲很多開啟啟動的軟件之類的，一次寫入終身讀取，手機刷機，并不能改變手機存儲的手機型號等固定的信息。手機部分信息在ROM上，ROM又屬于內存，因此我們看到賣家展示的手機參數說內存256G等也有一定道理，但嚴格意義上不對，因為256G中有90%充當的是外存功能。那么說手機ROM256G合適嗎？也不合適，ROM 只讀存儲器，可以長期保存信息，都說了只讀，256G中有90%都是外存性質，只不過沒有合適的名稱命名手機中存儲器罷了。RAM隨機存取存儲器（Random Access Memory，RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問（Sequential Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。　　RAM特點為：訪問速度快，數據易失（斷電會丟失數據，電容器或多或少有漏電的情形，不斷電數據也會隨時間流失，因此需要指定期讀取電容器的狀態，然后按照原來的狀態重新為電容器充電，這一過程稱為“刷新”），靜電敏感性（靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失）。SRAM與DRMA靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。ROMROM 是 read only memory的簡稱，表示只讀存儲器。只讀存儲器（ROM）是一種在正常工作時其存儲的數據固定不變，其中的數據只能讀出，不能寫入，即使斷電也能夠保留數據，要想在只讀存儲器中存入或改變數據，必須具備特定的條件。ROM主要分為掩膜ROM（專用掩膜板）、PROM（可一次性編程 ROM）、EPROM（紫外線擦除可改寫 ROM）、EEROM（電擦除可改寫 ROM）、flash ROM（快閃 ROM）等幾類。FLASH閃存FLASH閃存是屬于內存器件的一種，"Flash"。閃存則是一種非易失性（ Non-Volatile ）內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。Flash是非揮發性隨機存取存儲器（NVRAM），它可以作為緩存或作為直接存儲的底層設備。雖然比動態隨機存儲器（DRAM）慢10倍，但盡管這樣，它還比硬盤快得多。它的速度和耐用性，讓寫操作變得比直接寫硬盤快很多。將FLASH作為一個持續的高速緩存，再讓它慢慢的寫回磁盤作永久數據保存。NAND Flash的讀寫以page為單位，在寫入前(在這里稱之為編程)，需要先擦除，擦除以block為單位，這些操作都會減少器件的壽命。由于NAND Flash的這種特性，使得它在編程時帶來了寫放大的副作用，并且管理算法更復雜，例如需要垃圾回收算法。所以一般我們對NAND Flash編程的步驟是，先把其中的有效數據page搬移到內存或者其他block中，然后擦除這個block，再把有效數據和新數據寫回去。這個過程造成了多余的寫入和擦除，這就是所謂的寫放大。NAND Flash一般不單獨使用，需要和專用控制器搭配組成一個系統。目前常見的使用NAND Flash的產品主要有固態硬盤(SSD),eMMC,SD記憶卡，U盤等。其中SSD和eMMC穩定性和性能要求比較高，一般需要使用品質優良的NAND Flash。內存條在計算機誕生初期并不存在內存條的概念，最早的內存是以磁芯的形式排列在線路上。后來才出線現了焊接在主板上集成內存芯片，以內存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。內存芯片的狀態一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑒于此，內存條便應運而生了。將內存芯片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內存插槽。這樣就把內存難以安裝和更換的問題徹底解決了。核心頻率是內存顆粒內部存儲單元的工作頻率，即電容的刷新頻率。它是內存工作的基礎頻率，其他頻率都是建立在它基礎之上的。時鐘頻率又稱內存總線頻率，它是主板時鐘芯片提供給內存的工作頻率。等效頻率又稱等效數據傳輸頻率，它是內存與外界據交換的實際頻率。通常內存標簽上貼的就是等效效率。SDRAM同步動態隨機存儲器（Synchronous Dynamic RAM），采用3.3V工作電壓，內存數據位寬64位，SDRAM與CPU通過一個相同的時鐘頻率鎖在一起，使兩者以相同的速度同步工作。SDRAM內存有以下幾種：PC66/100/133150/166，核心頻率分別為66MHz，100Mz133MHz，150MHz，166MHz。時鐘頻率、等效頻率與核心頻率相等單根 SDRAM內存數據傳輸帶寬最高為 166MHz × 64bit ÷ 8 = 1.3GB/s。DDR雙倍速率同步動態隨機存儲器（Double data Rate SDRAM，DDR SDRAM，簡稱DDR），采用2.5V工作電壓，內存數據位寬64位，一個時鐘脈沖傳輸兩次數據，分別在時鐘脈沖的上升沿和下降沿各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率的SDRAM。DDR內存金手指為184腳。DDR內存有以下幾種:：DDR 200 / 266 / 333400 / 500。核心頻率與時鐘頻率相等，分別為100 MHz， 133 MHz， 166 MHz， 200 MHz， 250 MHz，等效頻分別為200 MHz， 266 MHz， 333 MHz， 400 MHz， 500 MHz，請注意， DDR內存的等效頻率是時鐘頻率的兩倍，因為DDR內存是雙倍速率工作的。DDR內存核心采用2位數據預讀取，也就是一次(一個脈沖)取2位。單根DDR內存數據傳輸帶寬最高為500 MHz×64 bit 8-4 GB/s。DDR2DDR2(Double Data Rate 2 SDRAM)采用1.8V工作電壓，內存數據位寬64位。 DDR2內存和DDR內存一樣，一個時鐘脈沖傳輸兩次數據，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存的預讀取能力，即4位數據預讀取。DDR 2內存金手指為240腳。DDR2內存有以下幾種: DDR2 533 / 667 / 800 / 066。核心頻率分別為133 MHz， 166 MHz， 200 MHz， 266 MHz，時鐘頻率分別為: 266 MHz，333 MHz， 400 MHz， 533 MHz，等效頻率分別為533 MHz， 667 MHz， 800 MHz， 1066 MHz。單根DDR2內存的數據傳輸帶寬最高為1066 MH2z X 64 bit 8 - 8.6 GB/s。DDR3DDR3(Double Data Rate 3 SDRAM)采用1.5 V工作電壓，內存數據位寬64位。同樣， DDR3內存擁有兩倍于上一代DDR2內存的預讀取能力，即8位數據預讀取。DDR 3內存有以下幾種: DDR3 1066 / 1333 / 1600 / 1800 / 2000。核心頻率分別為133 MHz，166 MHz， 200 MHz， 225 MHz， 250 MHz，時鐘頻率分別分533 MHz， 667 MHz， 800 MHz，900 MHz， 1000 MHz，等效頻率分別為: 1066 MHz， 1333 MHz， 1600 MHz， 1800 MHz，2000 MHz。單根DDR3內存的數據傳輸帶寬最高為2000 MHz × 64 bit÷ 8 -16 GB/s。DDR4DDR4(Double Data Rate 4 SDRAM)采用1.2V工作電壓，內存數據位寬64位， 16位數據預讀取。取消雙通道機制，一條內存即為一條通道。工作頻率最高可達4266 MHz。單根DDR4內存的數據傳輸帶寬最高為34 GB/s。為什么顯卡都是DDR5內存，電腦內存才DDR4？顯卡用的是GDDR5，G就是graphic也就是圖形的意思顯存是為圖形處理器特殊定制和打造的，另外顯存與圖形處理器之間使用的是固化連接，自然可以提供比插接更高的頻率，另外還可以根據不同的GPU來定制合適的顯存另外GDDR5已經是DDR3時代的產物，隨著內存進入DDR4時代相信下一代顯存也快要來了。內存條接口 DIP雙列直插內存芯片（Dual n-Line Package，DIP），它的常見單片容量有256KB，IMB等幾種。但現在內存發展這么快，哪里還會是幾百KB和幾兆容量的內存? 因此DIP接口早已經是淘汰了的內存接口。在SIMM和DIMM接口類型的內存條上，多個RAM芯片焊在一塊小電路板上，通過專用插座裝在主板或內存擴充板上，因此它們也可以看作是一個內存芯片。SIMM單列直插內存模塊（Singleln-Line Memory Module，SIMM），這是5x86及較早的PC機中常用的內存接口方式。在更早的PC機中(486以前)，多采用30針的SIMM接口，而在Pentium級別的機器中，應用更多的則是72針的SIMM接口，或者是與DIMM接口類型并存。72線的內存條體積稍大，并提供32位的有效數據位，常見容量有4MB.8MB， 16MB和32MB。DIMM雙列直插內存模塊（Dual In-Line Memory Module，DIMM），也就是說這種類型接口的內存的插板的兩邊都有數據接口觸片(俗稱為金手指)。這種接口模式的內存廣泛應用于現在的計算機中，通常為84針，但由于是雙邊的，所以一共有168針，也就是人們常說的168線內存條。168線內存條的體積較大，提供64位有效數據位。選購指南內存的技術指標主要看類型（DDR3、DDR4等）、容量（8G、16G等）、頻率（1066Hz、1333Hz等），選購時，DDR類型要與主板支持的類型嚴格一致，頻率原則上可以向下兼容，即1333Hz的內存條可以在最高支持1066Hz的主板上正常工作，但是最好不要這樣做，容量嘛，看你的資金嘍。

參考文章（https://product.pconline.com.cn/itbk/sjtx/sj/1305/3303309.html）

總結

以上是生活随笔為你收集整理的RAM ROM 寄存器(Rigester) CPU的关系的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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