mos管的快速關斷原理
R4是Q1的導通電阻沒有Q1就沒有安裝的必要了，當低電位來時Q1為瀉放擴流管。

功率MOS管怎樣關斷？能否用PWM實現,怎樣實現？
功率mosfet的三個端口，G極，D極，S極。G極控制mosfet的開通，關斷，給GS極之間加正向電壓（高電平）[url=13/]，達到導通電壓門檻值之后就能導通。同理，[url=15/]給一個低電壓（低電平）mosfet就能關斷。既然是高低電平當然能用PWM實現，不過在具體應用中，應考慮PWM輸出高低電平電壓范圍，PWM電壓的輸出驅動能力等。驅動能力太小，即使電壓很高，依然無法驅動開通MOS管。這時候需要在PWM電路之后接PWM驅動電路，再來控制功率mosfet。這個PWM應該是具有負脈沖，可以快速關斷MOS管。

MOS管的加速關斷原理第一還有就是.R4的作用.也搞不懂沒。

看來樓不太清楚三極管的原理了，沒有R4怎么滿足Q1集電極反偏的要求（不管是PNP還是NPN三極管，其工作時必須滿足集電結反偏，發射結正偏）.D1前施加一個負脈沖Q1就導通了，[url=31/]就可以把基極的電流抽走，加速MOS管的關斷了啊。D1的作用是單向導通[url=32/]，不要把基極電流分往脈沖放大電路，讓電流去接地。你明白了嗎？

它能起到加速MOS管關斷的作用,謝謝

驅動電阻主要是讓MOS管導通稍微變慢，以免過驅動，這樣的好處是解決電磁兼容中的輻射問題，并聯一個電阻是加速截止，降低MOS管的關斷損耗。

MOS管的快速關斷原理
R4是Q1的導通電阻沒有Q1就沒有安裝的必要了，當低電位來時Q1為瀉放擴流管簡要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點，工作原理。由UC3637和IR2110共同構建一種高壓大功率小信號放大電路，并通過。

MOS管D1的作用加快矩形波上升沿速度？這里還是不懂這個。

這個電路是用來提高MOSFET關斷速度的，本來用邏輯門直接驅動也很快，但是有可能邏輯門的最大輸出電流不夠大，因此可以利用那個PMOS快速關斷。在功率MOSFET電路中，快速關斷在安全性上要比能夠快速打開重要。

求問MOS管關斷延遲大怎么調？
搞搞前級，搞搞后級。就可以了。。。斷掉前級，測試MOS輸入電平。是低就上拉，高就下拉。總之跟他對著干。然后把前級加上去。試試看。調柵極的電阻啊或許可以的。

如何加快MOS管關斷
可以在柵極加個跟隨器來驅動柵極，可以縮短開關時間，在柵極加個電阻或電容到地對場管開關的過程進行放電，以上都是提高開關速度的方法！！電路太小，不完整。

mos管做開關電路,5V接G,S極,則D,S極導通,但是斷開5。
要有柵極泄防回路管子才能快速順利地截止。由于柵極和襯底之間有一層薄薄的二氧化硅絕緣層，所以柵極和襯底之間相當于存在一個電容。當G加上電壓后就會給這個電容充電，當G上的電壓撤掉后若G懸空電容的電荷是不能馬上放掉的，實際上G極的電壓仍然存在一段時間，所以不會馬上截止。實際使用時當要求管子截止時必須要在GS之間建立泄放回路（比如直接短路或通過電阻放電）才可以。

一個三極管和P-MOSFET構成的開關電路,打開正常,關斷。

等效電容相對于開關電路來說是可以忽略的（除非頻率特別高），MOS管屬壓控原件，對于一般開關電路開關速度應該差不多。

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總結

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