PDK文件学习
PDK文件學習
1、
layout.cdb :默認的主文件(可以在master.tag中自定義,幾乎很少用,但是在出錯等情況下還是有用的)
layout.cd% :最近一次存盤信息。
layout.db- :異常退出后系統自動保存的信息。
2、
.db文件是數據庫數據存放文件,每種軟件都有自己的存放格式,就是數據的排列方式,后綴名均為.DB
GDS文件是電路版圖的一種文件格式,要通過Cadence軟件Stream in,就可以看到版圖的內容了
3、
MIM電容被稱為極板電容,是Mn和Mn-1金屬構成的,利用上下層金屬間的電容構成。由于上下層金屬在三維空間內擱著氧化層較遠,因此會在上下層金屬添加CTM層次,并且用通孔進行連接上下層金屬,以此來達到縮小極板間距,增加電容。
MOM電容為finger電容,主要是利用同層metal邊沿之間的電容,在版圖設計過程中,為了縮小面積,可以進行疊加多層金屬。
4、
BULK是襯底
5、
hcell是用來聲明版圖的哪些模塊和電路的哪些模塊是一一對應關系,主要用于LVS做層次化檢查。
xcell也具有這個作用,主要用于提取門級后仿寄生。加入xcell列表中的pcell器件(主要和rf器件相關)或者模塊則不會再提取自己內部的寄生。
hcell是做lvs時版圖和電路對應的,xcell指定pex不做寄生抽取的cell
6、
ULL MOS:Ultra Low Leakage MOS,超低泄露MOS
7、
芯片的shrinkage:
就是不改版圖直接照比例縮小,例如0.13um縮成0.11um,這通常是在數字IC較常見,可以增加chip的產出
8、
1mil = 25.4um
9、
后端文件釋義
GDSII:它是用來描述掩模幾何圖形的事實標準,是二進制格式,內容包括層和幾何圖形的基本組成。
CIF:(caltech intermediate format),叫caltech中介格式,是另一種基本文本的掩模描述語言。
LEF:(library exchange format),叫庫交換格式,它是描述庫單元的物理屬性,包括端口位置、層定義和通孔定義。它抽象了單元的底層幾何細節,提供了足夠的信息,以便允許布線器在不對內部單元約束來進行修訂的基礎上進行單元連接。
包含了工藝的技術信息,如布線的層數、最小的線寬、線與線之間的最小距離以及每個被選用cell,BLOCK,PAD的大小和pin的實際位置。cell,PAD的這些信息由廠家提供的LEF文件給出,自己定制的BLOCK的LEF文件描述經ABSTRACT后生成,只要把這兩個LEF文件整合起來就可以了。
DEF:(design exchange format),叫設計交換格式,它描述的是實際的設計,對庫單元及它們的位置和連接關系進行了列表,使用DEF來在不同的設計系統間傳遞設計,同時又可以保持設計的內容不變。DEF與只傳遞幾何信息的GDSII不一樣。它還給出了器件的物理位置關系和時序限制等信息。
DEF files are ASCII files that contAIn information that represent the design at any point during the layout process.DEF files can pass both logical information to and physical information fro place-and-route tools.
- logical information includes internal connectivery(represented by a netlist), grouping information and physical constraints.
- physical information includes the floorplan,placement locations and orientations, and routing geometry data.
SDF:(Standard delay format),叫標準延時格式,是IEEE標準,它描述設計中的時序信息,指明了模塊管腳和管腳之間的延遲、時鐘到數據的延遲和內部連接延遲。
dspF、RSPF、SBPF和SPEF:
DSPF(detailed standard parasitic format),叫詳細標準寄生格式,屬于CADENCE公司的文件格式
ALF:(Advanved library format),叫先進庫格式,是一種用于描述基本庫單元的格式。它包含電性能參數。
PDEF:(physical design exchange format)叫物理設計交換格式。它是SYNOPSYS公司用在前端和后端工具之間傳遞信息的文件格式。描述了與單元層次分組相關的互連信息。這種文件格式只有在使用SYNOPSYS公司的Physical Compiler工具才會用到,而且.13以下工藝基本都會用到該工具。
TLF:TLF文件是描述cell時序的文件,標準單元的rise time,hold time,fall time都在TLF內定義。時序分析時就調用TLF文件,根據cell的輸入信號強度和cell的負載來計算cell的各種時序信息。
GCF:GCF文件包括TLF/CTLF文件的路徑,以及綜合時序、面積等約束條件。在布局布線前,GCF文件將設計者對電路的時序要求提供給SE。這些信息將在時序驅動布局布線以及靜態時序分析中被調用。
10、
LOD(Length of Diffusion) Effect:
對于相同大小柵極,因其所在擴散區的相對位置及尺寸大小不同而有不同電學效應,這是由于淺槽溝道隔離(Shallow Trench Isolation, STI)有不同的應力效應,所以又稱STI應力效應。 0.25以下工藝大多數采用STI隔離技術,STI會產生許多隔離島,也產生了不定型或不均勻雙軸壓應力。處在有源區的應力狀態是不均勻的,它與整個有源區的面積有關。 STI主要影響器件的飽和電流(Idsat)和閾值電壓(Vth)。 STI延展效應可以通過以下兩個參數來描述:SA,SB。這兩個參數分別表示柵到有源區兩邊緣的距離。 MOSFET特性參數如Vth、Idsat, 會因為以下函數變化:
Stress=1/(SA+L/2)+1/(SB+L/2)
其中L指柵長,由此可見,只有當SA、SB均變大時,應力才會變小。
11、
總結
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