IBM、美光、应用材料、东京电子宣布合作建设 High-NA EUV 研发中心
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IBM、美光、应用材料、东京电子宣布合作建设 High-NA EUV 研发中心
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▲ 圖源:IBM ▲ 圖源:IBM
12 月 12 日消息,今天早些時候,紐約州長凱西?霍楚爾(Kathy Hochul )宣布與 IBM、美光、應用材料、東京電子(東京威力科創)等半導體巨頭達成合作,投資 100 億美元(備注:當前約 718 億元人民幣)在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設下一代 High-NA EUV 半導體研發中心。
根據聲明,負責協調該設施建設的非營利性機構 NY Creates 將利用 10 億美元州政府資金向 ASML 采購 TWINSCAN EXE:5200 光刻機。
紐約州表示,一旦機器安裝完畢,該項目及其合作伙伴將開始研究下一代芯片制造。官方聲明指出,該項目將創造 700 個工作崗位,并帶來至少 90 億美元的私人投資。
此外,官方還強調,這將是北美第一個也是唯一一個擁有 High-NA EUV 光刻系統的公有研發中心,將為開發和生產 2nm 節點甚至更先進的芯片鋪平道路。
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總結
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