臺積電今天不僅公布了，還展示了FinFET鰭式晶體管的終結之作N3 3nm工藝，發展出了多達五種不同版本，也是歷代工藝中最豐富的。

最早也是最標準的3nm，今年下半年投入量產，預計明年初可以看到產品上市。

它面向有超強投資能力、追求新工藝的早期客戶，比如蘋果、AMD這種，但是應用范圍較窄，只適合制造特定的產品。

對比N5，功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。

，近期就會風險性試產，明年年中規模量產，產品上市預計2023年底或2024年初。

它在N3的基礎上提升性能、降低功耗、擴大應用范圍，對比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以將晶體管密度提升60％——是的，它的密度反而低于N3。

臺積電還稱，N3E可以達到比N4X更高的頻率，后者明年投產。

，細節不詳。

，細節不詳。

，不在乎功耗和成本，也是N4X的繼承者。

值得一提的是，N3E工藝還可以根據客戶需求定制柵極、鰭片數量，性能、功耗、面積指標也不一樣，官方稱之為“FinFlex”。

比如2個柵極1個鰭片，可以性能提升11％、功耗降低30％、面積縮小36％。

2個柵極2個鰭片，可以性能提升23％、功耗降低22％、面積縮小28％。

3個柵極2個鰭片，可以性能提升33％，功耗降低12％，面積縮小15％。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的积电3nm工艺竟有5种之多！其中3种都看不懂的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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