Simulink之晶闸管(可控硅SCR)
晶閘管又稱可控硅,屬于半控型器件。
電器符號
外形
原理
導通:陽極-陰極加正向電壓,門極-陰極加合適的正向電壓。
關斷:陽極電流減小到一定數值以下。(晶閘管一旦導通,門極即失去控制作用)
特性
在門極電流Ig1=0的情況下,逐漸加大正向陽極電壓,晶閘管處于斷態,只有很小的正向漏電流;增加正向陽極電壓,當達到轉折電壓Ubo時,漏電流突然劇增,自身壓降很小,晶閘管正向導通(門極電流越大,陽極電壓轉折點越低;正常情況下不允許把陽極電壓加到Ubo來使晶閘管導通)。正常情況下,通過門極輸入觸發電流Ig,使晶閘管導通。逐步減小陽極電流,當電流小于維持電流Ih時,晶閘管阻斷。
晶閘管承受反向陽極電壓,晶閘管阻斷;電壓增加到一定數值,漏電流增加較快;繼續增加晶閘管擊穿損壞。
主要參數
正向重復峰值電壓Udrm:在門極斷開和晶閘管阻斷情況下,可重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。正向不重復峰值電壓Udsm,Udrm=Udsm*80%。
反向重復峰值電壓Urrm:在門極斷開的情況下,可重復加在晶閘管兩端的反向峰值電壓。反向不重復峰值電壓Ursm,Urrm=Ursm*80%。
額定電壓Uvtn:Udrm和Urrm的較小值并向下取整(百伏)。
額定電流Ivt:長期允許通過的最大工頻半波電流的平均值。
通態平均電壓Uvt:額定電流時,晶閘管陽極和陰極間電壓降的平均值。當晶閘管流過較大的恒定直流電流時,其通態平均電壓比廠家定義值要大,約1.5V。
維持電流Ih和擎住電流Il:門極開路時,能維持晶閘管繼續導通的最小電流稱為維持電流Ih;門極加上觸發晶閘管導通后立即撤除觸發電壓,此時器件維持導通所需電流稱為擎住電流Il。
門極觸發電流Igt:室溫、陽極電壓6V直流電壓時,晶體管從阻斷到完全開通所需的最小門極直流電流。
門極觸發電壓Ugt:對應于門極觸發電流時的電壓。
斷態電壓臨界上升率du/dt:門極斷路條件下,器件從斷態轉入通態的最低電壓上升率。
通態電流臨界上升率di/dt:由門極觸發晶閘管使其導通時,能夠承受而不導致損壞的通態電流的最大上升率。
選型
額定電流原則:確定電路最大電流Ivtm,Ivt=(1.5~2)*(Ivdm/1.57)。
額定電壓原則:確定電路最大反向或反向電壓Uvtm,Uvt = (2~3)*Uvtm。
派生器件
雙向晶閘管:把一對反并聯的普通晶閘管集成在同一硅片,只用一個門極觸發的組合器件。G端加+/-電壓,都可以導通晶閘管,但從觸發靈敏度上將1+ > 1- = 3- > 3+。
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快速晶閘管:工作頻率幾十~幾千Hz,開通時間1~2us,關斷時間幾~幾十us。
光控晶閘管:使用光信號觸發晶閘管導通。
門極驅動
晶閘管觸發主要有移相觸發、過零觸發和脈沖列調制觸發等。對觸發脈沖得要求如下:
1.為減小門極損耗,廣泛采用脈沖觸發信號。
2.觸發脈沖應用足夠的功率,并留有一定的余量。
3.觸發脈沖應有一定的寬度,脈沖的前沿應盡可能陡,使器件在觸發導通后,陽極電流能迅速上升超過擎住電流而維持導通。對于電感性負載,由于電感會抵制電流上升,因而觸發脈沖的寬度應更大一些或采用雙窄脈沖;有些則需要強觸發脈沖。
4.觸發脈沖必須與晶閘管的陽極電壓同步,脈沖移相范圍必須滿足電路要求。
脈沖電路與晶閘管的連接方式:
1.直接連接:主電路和觸發電路采用導線直接連接。由于主電路電壓較高,采用直接連接易造成操作不安全,主電路又往往干擾觸發電路,所以這種連接常用在一些簡單設備中。
2.光耦合器連接:光耦合器是一種將電信號轉換為光信號,又將光信號轉換為電信號的半導體器件。它將發光和受光的元器件密封在同一管殼里,以光為媒介傳遞信號。光耦合器的發光源通常選砷化鎵發光二極管,而受光部分采用硅光敏二極管及光敏晶體管。光耦合器具有可實現輸入和輸出間電隔離、絕緣性好、抗干擾能力強的優點,在用微機組成的觸發電路中經常采用。
3.脈沖變壓器耦合連接:脈沖變壓器能很好地把一次側的脈沖信號傳輸到二次繞組,二次繞組與晶體管連接,主電路與控制電路具有良好的電器絕緣。
仿真模型
路徑
電路模型
輸入輸出
a:陽極? ? k:陰極? ? g:門極? ? m:測量電流和電壓[Iak, Vak]
參數
Ron:晶閘管內電阻。當內電感設為0時,內電阻不能設為0。
Lon:晶閘管內電感。當內電阻設為0時,內電感不能為0。
Vf:晶閘管的正向管壓降。
Ic:晶閘管初始電流。設為非零時,內電感不能為0。
Rs:晶閘管緩沖電阻(和緩沖電容串聯,與二極管并聯)。Rs為0,純電容。
Cs:晶閘管緩沖電容(和緩沖電容串聯,與二極管并聯)。Cs為inf,純電阻。Rs為inf,Cs為0,消除緩沖。
Il:晶閘管擎住電流。
Tq:晶閘管關斷時間。
總結
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