據(jù)《珠海特區(qū)報(bào)》報(bào)道，日前，IP和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過(guò)。這也意味著中芯國(guó)際在7nm制程工藝上取得突破。

《珠海特區(qū)報(bào)》報(bào)道

　　觀察者網(wǎng)援引中科院半導(dǎo)體所專業(yè)人士介紹，成功“流片”指在實(shí)驗(yàn)室得到性能達(dá)到指標(biāo)的器件，而要實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn)，還需要在器件可靠性、退化機(jī)制等方面得到大量的數(shù)據(jù)支持和反復(fù)檢驗(yàn)。

　　手機(jī)中國(guó)獲悉，中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝在功率和穩(wěn)定性方面與7nm制程工藝非常相似，且不需要光刻機(jī)。該工藝和中芯國(guó)際現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。不過(guò)其性能提升依然不夠，因此主要面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域。

中芯國(guó)際

　　中芯國(guó)際此前證實(shí)遭遇美國(guó)出口限制，并表示正在評(píng)估該事件對(duì)公司經(jīng)營(yíng)造成的影響。相關(guān)公告顯示，美國(guó)向中芯國(guó)際出口的部分美國(guó)設(shè)備、配件及原物料會(huì)受到美國(guó)出口管制規(guī)定的進(jìn)一步限制，須事前申請(qǐng)出口許可證后才能向中芯國(guó)際繼續(xù)供貨。在這樣的背景下，中芯國(guó)際7nm制程工藝取得突破一事就顯得意義非凡了。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的中芯国际7nm制程工艺取得突破 首款芯片成功流片！的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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