原標(biāo)題：為鞏固半導(dǎo)體霸主地位，三星擬投資 30 萬億韓元

　　權(quán)小星

　　繼存儲(chǔ)類半導(dǎo)體，三星希望憑借政策東風(fēng)，在非存儲(chǔ)類半導(dǎo)體占據(jù)一席之地。

　　近日，第一財(cái)經(jīng)記者從韓國三星電子及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)方面了解到，為配合韓國政府對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持計(jì)劃，三星電子將出資 30 萬億韓元，培育非存儲(chǔ)類系統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并以 2030 年前在全球占領(lǐng)領(lǐng)先地位作為目標(biāo)。

　　韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)方面負(fù)責(zé)人告訴第一財(cái)經(jīng)記者，針對(duì)韓國政府提出半導(dǎo)體主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)模式，三星和協(xié)會(huì)方面正在進(jìn)行緊密的合作，而三星方面將在本月底最終公布方案，不過初步的措施和方案已經(jīng)基本確定，而這也將成為韓國建國以來最大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)扶持政策，涵蓋政府、行業(yè)協(xié)會(huì)和企業(yè)。

　　第一財(cái)經(jīng)記者了解到，三星電子將在月末公布的方案主要包括：投資 30 億韓元，構(gòu)造三星電子的科研力量，并與高校協(xié)同設(shè)立半導(dǎo)體學(xué)科，同步繼續(xù)扶持晶圓代工等內(nèi)容。

　　其中，三星電子的負(fù)責(zé)人向第一財(cái)經(jīng)記者透露，作為三星電子扶持非存儲(chǔ)半導(dǎo)體計(jì)劃的首個(gè)舉措，三星將在韓國京畿道華城設(shè)立極紫外光刻（EUV）工廠，作為半導(dǎo)體工程中的核心工序之一，每臺(tái)設(shè)備的市價(jià)超過 2000 億韓元，而作為利用措施的配套，三星電子正在尋求通過將 EUV 技術(shù)應(yīng)用于 10nm DRAM 產(chǎn)線來提高 EUV 設(shè)備的利用率。

　　針對(duì)該項(xiàng)目三星電子將在近期發(fā)布追加投資計(jì)劃，三星方面也將考慮在位于京畿道平澤地區(qū)的空余地塊追加建設(shè)生產(chǎn) AP、CIS 等非存儲(chǔ)類半導(dǎo)體的工廠；不過，該負(fù)責(zé)人同時(shí)表示，這項(xiàng)投資計(jì)劃的具體細(xì)節(jié)和規(guī)模尚未最終確定，并會(huì)在后期進(jìn)行披露，而韓國業(yè)界也預(yù)計(jì)，若包括建廠計(jì)劃及配套內(nèi)容，三星電子應(yīng)當(dāng)投資的金額可能將超過 100 萬億韓元。

　　另外，三星電子將針對(duì) LG 等其他競(jìng)爭企業(yè)及中小企業(yè)開放生態(tài)鏈，并邀請(qǐng)本土企業(yè)作為設(shè)計(jì)及研發(fā)方參與；而作為首個(gè)具體措施，三星電子或?qū)⒋S向 LG 集團(tuán)旗下的 Siliconworks 所研發(fā)的高性能半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行開放，而此前三星電子的代工廠僅向英特爾、蘋果等海外企業(yè)開放，韓國本土的中小企業(yè)則主要向 TSMC 等境外企業(yè)進(jìn)行代工。

　　從技術(shù)的層面，此前作為晶圓代工的領(lǐng)先企業(yè)，TSMC 曾唯一擁有 7nm 工藝的代工廠，并計(jì)劃明年推出 EUV 版本的升級(jí)版 7nm 工藝，近期三星電子方面在投入 7nm 工藝的基礎(chǔ)上，將 6nm 工藝提前在下半年投入量產(chǎn)。據(jù)業(yè)界人士介紹，三星電子已經(jīng)基本完成 5nm 工藝的開發(fā)，并在此基礎(chǔ)上正在開發(fā)并在中短期內(nèi)準(zhǔn)備推出 3nm 工藝的代工技術(shù)。

　　除此以外，三星還將聯(lián)手 SK 海力士等本土競(jìng)爭企業(yè)，在首爾國立大學(xué)等多個(gè)大學(xué)設(shè)立“半導(dǎo)體學(xué)科”，并在原則上保證畢業(yè)后能夠進(jìn)入三星電子等本土半導(dǎo)體企業(yè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)方面預(yù)計(jì)，在 2025 年前類似學(xué)科的設(shè)立能為韓國業(yè)界培養(yǎng) 1 萬名具有高素養(yǎng)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及生產(chǎn)人員。

　　4 月初，韓國總統(tǒng)文在寅在會(huì)議上，正式宣布韓國政府將在未來著重扶持的三大未來產(chǎn)業(yè)，其中非存儲(chǔ)類半導(dǎo)體占據(jù)較為重要的地位，而業(yè)界人士透露，三星電子月底的戰(zhàn)略發(fā)布時(shí)，韓國政府的高級(jí)官員及 SK 海力士等競(jìng)爭企業(yè)的人士也將出席，以表示韓國政府和業(yè)界的重視。

　　三星電子在扶持非存儲(chǔ)類半導(dǎo)體的背后，除了來自政策的東風(fēng)，同時(shí)也有源自市場(chǎng)的壓力。據(jù)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu) WSTS 預(yù)計(jì)，2019 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模將為 4545 億美元，其中三星占據(jù)優(yōu)勢(shì)的存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)份額僅為 1355 億美元，僅占據(jù)全球市場(chǎng)的三成，剩余絕大多數(shù)部分均為非存儲(chǔ)類半導(dǎo)體。據(jù)三星電子發(fā)布的第一季度業(yè)績公告顯示， 三星電子在 2019 年第一季度的營業(yè)利潤為 6.2 萬億韓元，同比下降 60.36%、環(huán)比下降 38.5%，尤其是半導(dǎo)體市場(chǎng)所面臨的調(diào)整期，使三星電子的營業(yè)利潤跌至 2016 年第三季以來最低水平。

　　截至 2018 年底，三星電子和 SK 海力士兩大韓系制造商在 2018 年存儲(chǔ)類半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)占有率為 74.6%，而根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) DRAM Exchange 提供的數(shù)據(jù)，2019 年 3 月份以 DDR4 8GB 的 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）為準(zhǔn)，市場(chǎng)價(jià)格為 4.56 美元，相比于 2018 年 9 月的峰值下跌達(dá) 44.3%，其中僅在第一個(gè)季度內(nèi)就下跌 37%，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的一份報(bào)告也認(rèn)為，即便是在第二季度，市場(chǎng)價(jià)格仍將下跌 10% 以上，韓系制造商仍要保持高利潤的時(shí)代很有可能一去不復(fù)返。

　　去年 5 月，三星電子將其代工業(yè)務(wù)從系統(tǒng)原有部門中分拆出來，另外設(shè)立事業(yè)部；而根據(jù) WSTS 的另外一份統(tǒng)計(jì)顯示，2019 年第一季度全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的占有率，臺(tái)資 TSMC 占據(jù)第一名，達(dá)到 48.1%，三星電子緊隨其后，為 19.1%。

　　韓國大信證券分析師李秀彬向第一財(cái)經(jīng)記者指出，相比于 DRAM 等存儲(chǔ)芯片更容易受到市場(chǎng)周期的影響，非存儲(chǔ)類半導(dǎo)體的需求周期則更加穩(wěn)定。

　　“尤其是三星在上一季度的財(cái)報(bào)中獲得不理想的業(yè)績，其背后和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體的需求過剩、全球大型企業(yè)放緩數(shù)據(jù)中心的建設(shè)等共同作用之下，高度依賴內(nèi)存芯片產(chǎn)生利潤將成為三星電子所面臨的脆弱之處，并引發(fā)投資者對(duì)于三星電子收益構(gòu)造的擔(dān)憂。”李秀彬表示。

　　韓國高麗大學(xué)經(jīng)營學(xué)系教授、韓國經(jīng)營學(xué)會(huì)會(huì)長李斗熙告訴第一財(cái)經(jīng)記者，雖然從短期來看，三星電子通過一系列措施，降低了對(duì)于市場(chǎng)的沖擊，但考慮到三星電子占據(jù)韓國 KOSPI 股指市值的近 20%，日均交易量更是達(dá)到 30% 左右，若三星電子的不振進(jìn)入長期，將導(dǎo)致韓國的金融市場(chǎng)更加脆弱。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的三星将投资半导体30万亿韩元：巩固半导体霸主地位的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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